[发明专利]在3D集成电路中共享的硅穿孔有效
| 申请号： | 201710574127.8 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107622993B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 沙巴斯钦·T·凡托尼;S·曼达尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明内容涉及在3D集成电路中共享的硅穿孔，大体有关于半导体结构，且更特别的是，有关于在3D‑IC集成结构中共享的智能硅穿孔及其制法。该结构包括：多个堆栈晶粒，其各自包含至少一个宏装置；以及层结构，其位在该多个堆栈晶粒之间且包含一控件，该控件经结构化成在该多个堆栈晶粒中的第一堆栈晶粒的该至少一个宏装置与第二堆栈晶粒的该至少一个宏装置之间路由信号。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 共享 穿孔 | ||
【主权项】：
一种结构，包含：多个堆栈晶粒，其各自包含至少一个宏装置；以及层结构，其位在该多个堆栈晶粒之间且包含控件，该控件经结构化成在所述堆栈晶粒的第一堆栈晶粒的该至少一个宏装置及第二堆栈晶粒的该至少一个宏装置之间路由信号。
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