[发明专利]一种基于硼掺杂铁钴氧化物二维纳米复合材料的雌二醇光电化学传感器及其制备与应用

摘要

本发明公开了一种基于硼掺杂铁钴氧化物二维纳米复合材料的雌二醇光电化学传感器及其制备与应用，制备方法中，首先在ITO导电玻璃上采用电沉积的方法修饰二维纳米材料g‑C₃N₄，然后采用水热法原位生长铁钴氢氧化物，进而制备得到g‑C₃N₄负载的硼掺杂的铁钴氧化物B@Fe_xCo_1‑xO₃/g‑C₃N₄修饰的工作电极。最后，利用该材料的良好的生物相容性和大的比表面积，负载上雌二醇抗体。在进行检测时，由于硼掺杂的铁钴氧化物B@Fe_xCo_1‑xO₃可以催化L‑抗坏血酸‑2‑磷酸三钠盐AAP原位产生L‑抗坏血酸AA，并进而为光电检测提供电子供体，再利用抗体与抗原的特异性定量结合对电子传输能力的影响，使得光电流强度相应降低，最终实现了采用无标记的光电化学方法检测雌二醇的光电传感器的构建。

主权项

1.一种基于硼掺杂铁钴氧化物二维纳米复合材料的雌二醇光电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S11：以ITO导电玻璃为工作电极，铂丝电极为对电极，以g‑C₃N₄和氧化石墨烯的混合溶液为电解液，在两电极系统中，采用循环伏安法，电压范围为‑1.4～0.4V，扫速为60～100mV/s，电沉积11～20圈，将沉积完的电极用去离子水清洗，制得g‑C₃N₄修饰的工作电极；S12：将所述步骤S11中得到的g‑C₃N₄修饰的工作电极放于铁离子和钴离子的混合溶液中，放入高压反应釜中，在120～240℃下在反应釜中反应6～24小时，将反应完的电极用去离子水清洗，制得g‑C₃N₄负载铁钴氢氧化物修饰的工作电极；S13：以铂丝电极为对电极，与所述步骤S12中得到的g‑C₃N₄负载铁钴氢氧化物所修饰的工作电极，组成两电极系统，在含有硼元素的电解液中，采用i‑t法进行电置换反应，电压设定0.2～1.5V，时间为10～36000s，将反应完的电极用去离子水清洗，制得B@Fe_xCo_1‑xO₃/g‑C₃N₄修饰的工作电极；S14：在所述步骤S13制得的B@Fe_xCo_1‑xO₃/g‑C₃N₄修饰的工作电极表面滴涂8～12μL浓度为10μg/mL的雌二醇抗体溶液，在4℃条件下保存晾干；S15：将所述步骤S14中得到的电极用PBS缓冲溶液清洗，继续在电极表面滴涂8～12μL浓度为100μg/mL的牛血清白蛋白溶液，4℃条件下保存晾干；S16：将所述步骤S15中得到的电极用PBS缓冲溶液清洗，在4℃条件下保存晾干后，制得雌二醇光电化学传感器。