[发明专利]一种磁损耗型缩比吸波材料的构造方法有效

专利信息
申请号: 201710546306.0 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107301301B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 许勇刚;袁黎明;梁子长;高伟 申请(专利权)人: 上海无线电设备研究所
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G16C60/00
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 朱成之
地址: 200090 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种磁损耗型缩比吸波材料的构造方法,以原型均匀材料为依据,利用结构分布特性来优化材料的电磁参数,从而实现缩比材料的构造,将材料和内部微粒的分布结构整体引入缩比材料的设计和制备中,缩比材料采用颗粒不同填充结构吸波层的设计来实现所需要的吸收性能,保持了材料的传输和反射特性一致的要求。本发明计算方法简单,设计效率高,所制备的缩比原材料具有缩比参数精度高、材料特性偏差小,能够实现缩比测试条件下的电磁波的传输和反射特性。
搜索关键词: 一种 损耗 材料 构造 方法
【主权项】:
一种磁损耗型缩比吸波材料的构造方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤S1、输入原型均匀吸波材料的电磁参数;所述的原型均匀吸波材料的电磁参数包含:复数介电常数ε和复数磁导率μ,缩比频率fs和缩比系数s;步骤S2、计算原型均匀吸波材料的传输参数和反射参数;步骤S3、采用插值法建立磁损耗型电磁材料的电磁参数库;以不同组分的磁性吸收剂的电磁参数为元素建立电磁参数库,采用插值法扩充各个添加比例下的电磁参数;步骤S4、在传输反射系数固定的条件下,根据吸波材料的不同厚度L,反向计算材料的复数介电常数ε和复数磁导率μ,如果复数介电常数ε或复数磁导率μ与其在步骤S3中建立的电磁参数库中最接近的参数值之间的绝对值偏差超过阈值,则进行步骤S3,基于参数库的插值计算来对吸波材料的电磁参数进行逼近,使复数介电常数ε和复数磁导率μ与其在步骤S3中建立的电磁参数库中最接近的参数值之间的绝对值偏差小于等于阈值,如果复数介电常数ε和复数磁导率μ与其在步骤S3中建立的电磁参数库中最接近的参数值之间的绝对值偏差小于等于阈值,则进行步骤S5;步骤S5、利用吸波材料的结构分布特性来优化吸波材料的电磁参数,得到电磁参数精度符合要求的吸波材料配方。
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