[发明专利]平板电极结构和等离子体沉积设备有效
| 申请号： | 201710537334.6 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109207965B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 唐玄玄;王俊 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;何静生 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子处理设备领域，公开了一种平板电极结构和应用了该种平板电极结构的等离子体沉积设备，平板电极结构包括：至少一个阴极和一个阳极，且这些阴极和阳极之间依次交替设置；其中，至少有一个阳极内形成有第一送气通道，且在阳极朝向阴极的一面的中部开有第一出气口，在阳极的边缘开有第一进气口；气体从第一进气口进入第一送气通道，从第一出气口排出，形成等离子体。本发明能够改善等离子体沉积薄膜的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 电极 结构 等离子体 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1.一种平板电极结构，用于等离子体沉积设备，包括：至少一个阴极(2)和一个阳极(1)，且这些阴极(2)和阳极(1)之间依次交替设置；其特征在于：至少有一个阳极(1)内形成有第一送气通道，且在所述阳极(1)朝向阴极(2)的一面的中部开有第一出气口(12)，在所述阳极(1)的边缘开有第一进气口(11)；气体从所述第一进气口(11)进入所述第一送气通道，从所述第一出气口(12)排出，形成等离子体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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