[发明专利]蓝色复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种蓝色复合薄膜及其制备方法。该蓝色复合薄膜包括：层叠于基材表面的打底层，该打底层的材料包括第一金属材料和/或第一半导体材料；层叠于所述打底层之上的硬质层，该硬质层的材料为第二金属材料和/或第二半导体材料掺杂的TiAl氮化物或TiAl氮碳化物；层叠于所述硬质层之上的颜色控制层，该颜色控制层的材料为第三金属材料和/或第三半导体材料掺杂的TiAl氮化物或TiAl氮碳化物。该蓝色复合薄膜在带有弯曲面或是3D面的产品中仍能够保持稳定、均匀的颜色，且具备层间结合力好、耐摩擦、高硬度、低摩擦系数、耐腐蚀、抗氧化、化学稳定及光洁度好的优点。

主权项

1.一种蓝色复合薄膜，其特征在于，包括：层叠于基材表面的打底层，该打底层的材料包括第一金属材料和/或第一半导体材料；层叠于所述打底层之上的硬质层，该硬质层的材料为第二金属材料和/或第二半导体材料掺杂的TiAl氮化物或TiAl氮碳化物；层叠于所述硬质层之上的颜色控制层，该颜色控制层的材料为第三金属材料和/或第三半导体材料掺杂的TiAl氮化物或TiAl氮碳化物；其中，所述第一金属材料、第二金属材料、第三金属材料分别独立的任选自Ti、Zr、Ni、Cr、不锈钢、Ti/Al合金；所述第一半导体材料、第二半导体材料、第三半导体材料分别独立的任选自Si；所述颜色控制层的厚度为0.05～0.3μm；所述打底层的厚度为0.05～1.0μm；所述硬质层的厚度为0.5～1.5μm；沉积所述打底层的工艺条件如下：采用第一金属材料靶和/或第一半导体靶；真空室压强：0.1～1Pa；第一金属材料靶和/或第一半导体靶电流：10～40A；时间：10～30min；直流偏压：‑50～‑300V；沉积所述硬质层的工艺条件如下：采用第二金属材料靶和/或第二半导体靶，以及TiAl靶；通入N₂、C₂H₂气体，N₂的流量为20～100sccm、C₂H₂的流量为0～50sccm；真空室压强：0.1～1Pa；第二金属材料靶和/或第二半导体靶功率：0.5～10KW，TiAl靶功率2～10KW；时间：30～90min；直流偏压：‑50～‑200V；沉积所述颜色控制层的工艺条件如下：采用第三金属材料靶和/或第三半导体靶，以及TiAl靶；通入N₂、C₂H₂气体，N₂的流量为50～250sccm、C₂H₂的流量为0～50sccm；真空室压强：0.1～1Pa；第三金属材料靶和/或第三半导体靶功率：0.5～8KW，TiAl靶功率2～10KW；时间：1～15min；直流偏压：‑30～‑200V。