[发明专利]一种高温压电晶体材料的生长方法有效
| 申请号： | 201710506664.9 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107254712A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 合肥博之泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 合肥道正企智知识产权代理有限公司34130 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市肥西县上派*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高温压电晶体材料的生长方法，涉及压电晶体材料领域，包括以下步骤：1)将原料粉碎混合，得混合物料；2)将混合物料进行两次烧结，得多元晶料；3)将多元晶料加热至全熔，然后对熔体进行过热处理，得高温熔液，待高温熔液的温度降低至高于熔点，得压电晶体材料熔液；4)浸入并采用提拉法沿b方向进行单晶生长；5)生长结束后，将晶体在温场中保持一段时间，再降至室温即可。该种压电晶体材料的生长方法简单方便，性能优良温度，具有较高压电常数、较高电阻率及较高压电性能温度稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 压电 晶体 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高温压电晶体材料的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将压电晶体材料的原料粉碎至粒径≤3mm混合，得混合物料；所述原料按重量份数计包括以下成分：Al2O315‑25份、CaO20‑30份、NaO25‑15份、B2O315‑25份、CeO210‑20份、Y2O310‑20份、SiO22‑10份、Gd2O315‑25份和WO35‑15份；(2)将步骤(1)的混合物料在温度为980～1080℃下烧结2‑4h，空冷至室温后，压成料块，在温度为1180～1280℃下再次烧结4‑6h，得多元晶料；(3)将步骤(2)得到的多元晶料加热至全熔，然后对熔体进行过热处理，得互熔均匀的高温熔液，待高温熔液的温度降低至高于熔点20‑30℃，得压电晶体材料熔液；(4)将取自同构型晶体的结晶轴b向籽晶，垂直浸入到步骤(3)的压电晶体材料熔液中，使籽晶的顶端与熔液垂直且刚好接触，采用提拉法沿b方向进行单晶生长；(5)生长结束后，将晶体在温场中保持60‑80min，再以20～40℃/h速率降至室温即可。
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