[发明专利]PSVA像素结构有效
申请号: | 201710488487.6 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107085330B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 邓竹明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;刘巍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种PSVA像素结构。该PSVA像素结构包括:上基板和与上基板相对设置的下基板,该上基板上设有公共电极,该下基板上设有钝化层、设置于该钝化层上的像素电极以及设置于该像素电极下方的金属层;该钝化层通过图形化形成有凸起部、侧壁以及沟槽底部,该像素电极仅覆盖于钝化层的凸起部以及沟槽底部。本发明的PSVA像素结构中,钝化层的沟槽侧壁无像素电极,去除横向电场,提高液晶效率。 | ||
搜索关键词: | psva 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种PSVA像素结构,其特征在于,包括:上基板和与上基板相对设置的下基板,该上基板上设有公共电极,该下基板上设有钝化层、设置于该钝化层上的像素电极以及设置于该像素电极下方的金属层;该钝化层通过图形化形成有凸起部、侧壁以及沟槽底部,该像素电极仅覆盖于钝化层的凸起部以及沟槽底部。
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