[发明专利]无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED有效
| 申请号： | 201710465143.3 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148703B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED，包括步骤：配制含无机物前驱体和量子点的混合液；通过溶液法将混合液制成混合薄膜；通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。本发明利用HHIC技术，通过溶液法即可制成无机物和量子点交联的混合薄膜，形成无机物包裹量子点的结构。本发明还可在无机物前驱体和量子点的体系中加入有机物，然后通过溶液法制成含无机物前驱体、有机物和量子点的混合薄膜，最后通过HHIC技术，使得形成的无机物、有机物和量子点交联在一起，形成无机物和有机物包裹量子点的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 无机物 包裹 量子 混合 薄膜 制备 方法 qled | ||
【主权项】：
1.一种无机物包裹量子点的混合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将无机物前驱体与量子点混合于溶剂中，得到含无机物前驱体和量子点的混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，得到无机物包裹量子点的混合薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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