[发明专利]静电释放箝位电路有效
申请号: | 201710455287.0 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107331660B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 吕斌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种静电释放箝位电路,包括:静电侦测电路,静电释放电路和电荷泵;静电释放电路包括连接在IO端口和地之间的第一静电释放晶体管;电荷泵的输出端和第一静电释放晶体管的栅极连接;静电侦测电路的输出端连接电荷泵的输入端;静电侦测电路的输出端还连接第一开关的控制端,第一开关连接在IO端口和第一静电释放晶体管的栅极之间;在静电释放事件出现的状态下,电荷泵停止工作,第一开关打开,第一静电释放晶体管导通实现静电释放;在芯片正常工作状态下,电荷泵工作并输出电压连接到第一静电释放晶体管的栅极使第一静电释放晶体管处于深关闭状态,从而减少第一静电释放晶体管在关态漏电。本发明能减少功耗。 | ||
搜索关键词: | 静电 释放 箝位 电路 | ||
【主权项】:
1.一种静电释放箝位电路,其特征在于,包括:静电侦测电路,静电释放电路和电荷泵;/n所述静电侦测电路设置在芯片的IO端口和地之间,用于侦测IO端口处的静电;/n所述静电释放电路包括第一静电释放晶体管,所述第一静电释放晶体管连接在所述IO端口和地之间;/n所述电荷泵的输出端和所述第一静电释放晶体管的栅极连接;所述静电侦测电路的输出端连接所述电荷泵的输入端;/n所述静电侦测电路的输出端还连接第一开关的控制端,所述第一开关连接在所述IO端口和所述第一静电释放晶体管的栅极之间;/n在静电释放事件出现的状态下,所述静电侦测电路侦测到所述IO端口出现的静电,所述静电侦测电路的输出端的信号使所述电荷泵停止工作以及将所述第一开关打开,所述第一静电释放晶体管的栅极连接IO端口并在IO端口电压的控制下导通,从而将所述IO端口的静电释放到地;/n在芯片正常工作状态下,所述IO端口未出现的静电,所述静电侦测电路的输出端的信号使所述电荷泵工作以及将所述第一开关关闭,所述第一静电释放晶体管的栅极断开和所述IO端口的连接且所述电荷泵的输出电压连接到所述第一静电释放晶体管的栅极,所述电荷泵的输出电压使所述第一静电释放晶体管处于深关闭状态,从而减少所述第一静电释放晶体管在关闭状态下的漏电;/n所述第一静电释放晶体管为一NMOS管,所述第一静电释放晶体管的尺寸满足在静电释放事件出现的状态下进行静电释放的要求;/n所述电荷泵为负压电荷泵,所述电荷泵的输出电压为负压;/n所述静电释放电路还包括第二静电释放晶体管;/n所述第二静电释放晶体管也为一NMOS管,所述第二静电释放晶体管的尺寸满足在静电释放事件出现的状态下进行静电释放的要求;/n所述第一静电释放晶体管的源极接地,所述第一静电释放晶体管的漏极连接所述第二静电释放晶体管的源极;/n所述第二静电释放晶体管的栅极通过第二开关连接到所述IO端口,所述第二静电释放晶体管的栅极通过第三开关连接到所述芯片的内部电压源;/n在静电释放事件出现的状态下,所述第二开关导通以及所述第三开关关闭,使得所述IO端口的静电通过串联的所述第二静电释放晶体管和所述第一静电释放晶体管释放到地;/n在芯片正常工作状态下,所述第二开关关闭以及所述第三开关导通,所述第二静电释放晶体管将所述芯片的内部电压源连接到所述第一静电释放晶体管的漏极,利用所述芯片的内部电压源电压小于所述IO端口电压的特点降低所述第一静电释放晶体管的漏极和栅极的电压差,从而降低所述第一静电释放晶体管的栅诱导漏极漏电。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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