[发明专利]磁环组件和制造磁环组件的方法有效

专利信息
申请号: 201710454272.2 申请日: 2017-06-15
公开(公告)号: CN107316729B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 赵红卫;张子民;李家庆;王辉;马保华;孙良亭;张雪珍;谢祖祺;翟浩银 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: H01F3/00 分类号: H01F3/00;H01F7/02;H01F41/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张成新
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明的实施例提供了一种磁环组件以及一种制造磁环组件的方法。该磁环组件包括:多个扇形块,所述多个扇形块组装成磁环;以及禁锢环,设置于所述磁环的外围。所述磁环组件用于电子回旋共振离子源双向梯度磁场的产生。该制造磁环组件的方法包括:准备禁锢环;提供多个扇形块;以及将所述多个扇形块在所述禁锢环内组装成磁环。根据本发明的实施例,例如可以提高磁环组件的磁场强度。
搜索关键词: 组件 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁环组件,包括:多个扇形块,所述多个扇形块组装成磁环,以及禁锢环,设置于所述磁环的外围;其中,多个扇形块中的每一个包括多个子扇形块,多个子扇形块沿径向方向排列并组装成一个扇形块,对于每一个扇形块,多个子扇形块的沿径向方向上的中心线的尺寸基本相等,或多个子扇形块中的任意两个的沿径向方向上的中心线的尺寸的差值小于该扇形块的沿径向方向上的中心线的尺寸与多个子扇形块的数量的比值的5%,且所述子扇形块的尺寸符合设定充磁机的极限充磁长度,达到饱和充磁,对于每一个扇形块,多个子扇形块沿径向方向上的磁化方向一致;所述磁环组件用于电子回旋共振离子源双向梯度磁场的产生。
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