[发明专利]电容阵列结构

摘要

本发明提供一种电容阵列结构，其包括N个电容单元。电容单元其中之一包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层包括下电极的第一图案化金属部。第二金属层配置于第一金属层上，且包括下电极的第二图案化金属部以及上电极的第一图案化金属部。第三金属层配置于第二金属层上，且包括下电极的第三图案化金属部、下电极的第四图案化金属部以及上电极的第二图案化金属部。下电极的第二图案金属部具有开口，上电极的第一图案化金属部的一侧暴露在开口，使上电极的第一图案化金属部的所述一侧相邻于另一个电容单元的下电极。

主权项

1.一种电容阵列结构，其特征在于，包括：N个电容单元，每一该些电容单元包含一上电极与一下电极，其中该些电容单元沿一第一轴向而相邻排列而构成一电容列，且该些电容单元中的第i个电容单元包括：一第一金属层，包括该下电极的一第一图案化金属部；一第二金属层，配置于该第一金属层上，包括该下电极的一第二图案化金属部与该上电极的一第一图案化金属部；以及一第三金属层，配置于该第二金属层上，且包括该下电极的一第三图案化金属部、该下电极的一第四图案化金属部与该上电极的一第二图案化金属部，其中i为不大于N的正整数且N为正整数，其中该下电极的该第二图案金属部具有一开口，该上电极的该第一图案化金属部的一侧暴露在该开口，使该上电极的该第一图案化金属部的所述一侧相邻于第(i‑1)个电容单元的下电极。