[发明专利]存储器结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种存储器结构及其制作方法，该存储器包含半导体基底、至少二个浅沟槽隔离、主动区、第一介电层、浮置栅极、第二介电层以及控制栅极。浅沟槽隔离相邻设置于半导体基底中。主动区设置于半导体基底中且位于该等浅沟槽隔离之间。第一介电层设置于主动区表面。浮置栅极设置于半导体基底上且具有阶梯状侧壁，并包含上层部和下层部，其中上层部宽度小于下层部宽度，下层部横跨主动区且延伸至浅沟槽隔离上并部分覆盖浅沟槽隔离。第二介电层覆盖浮置栅极。控制栅极设置于第二介电层上。

主权项

1.一种存储器结构，包含：半导体基底；至少二个浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)，相邻设置于该半导体基底中；主动区，设置于该半导体基底中且位于该至少两个浅沟槽隔离之间；第一介电层，设置于该主动区表面；浮置栅极，设置于该半导体基底上，该浮置栅极具有阶梯状侧壁并包含一上层部和一下层部，其中该上层部的宽度小于该下层部的宽度，该下层部横跨该主动区且延伸至该至少两个浅沟槽隔离上，并部分覆盖该至少两个浅沟槽隔离；第二介电层，覆盖该浮置栅极；以及控制栅极，设置于该第二介电层上。