[发明专利]一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710386417.X | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108962899B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 朱明皓;李瑞钢 | 申请（专利权）人： | 智瑞佳（苏州）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制备方法，包括栅极层(1)、衬底层(4)和位于栅极层(1)与衬底层(4)之间的浮栅层(5)，在栅极层(1)与浮栅层(5)之间、以及浮栅层(5)与衬底层(4)之间分别设有氧化层(3)，其特征在于：所述浮栅层(5)分成若干块子浮栅层(7)，且相邻两块子浮栅层(7)之间填充有绝缘介质(8)。本发明旨在增强多次可编程(MTP)存储单元的可靠性，减小老化对浮栅器件的影响，提升器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多次 可编程 mtp 存储 单元 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多次可编程存储单元结构，包括栅极层(1)、衬底层(4)和位于栅极层(1)与衬底层(4)之间的浮栅层(5)，在栅极层(1)与浮栅层(5)之间、以及浮栅层(5)与衬底层(4)之间分别设有氧化层(3)，其特征在于：所述浮栅层(5)分成若干块子浮栅层(7)，且相邻两块子浮栅层(7)之间填充有绝缘介质(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
