[发明专利]一种偏置电流产生电路在审
| 申请号： | 201710395058.4 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107015594A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种偏置电流产生电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、NPN三极管、第一电阻和第二电阻；第一电阻一端接电源，另一端接NMOS晶体管的栅极和NPN三极管的集电极；NPN三极管的发射极接地，基极接第二电阻的一端和NMOS晶体管的源极；第二电阻的另一端接地；NMOS晶体管的漏极接PMOS晶体管的漏极；PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极都接到输出端。本发明的偏置电流产生电路利用三极管的基极和发射极的电压差除以一个电阻，得到了一个不需要启动电路，也与电源电压无关的偏置电流，从而减小了偏置电流产生电路的面积，降低了功耗，大大提升了电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 电流 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：PMOS晶体管P1、NMOS晶体管N1、NPN三极管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2；第一电阻R1一端接电源，另一端接NMOS晶体管N1的栅极和NPN三极管Q1的集电极；NPN三极管Q1的发射极接地，基极接第二电阻R2的一端和NMOS晶体管N1的源极；第二电阻R2的另一端接地；NMOS晶体管N1的漏极接PMOS晶体管P1的漏极；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极都接到输出端BIAS。
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