[发明专利]测试结构的形成方法及功函数的检测方法在审
| 申请号： | 201710386036.1 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108933090A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王晓凤;黄怡;徐俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种测试结构的形成方法及功函数的检测方法，包括：提供一基底，在所述基底上依次形成一绝缘层和一导电层；对所述导电层进行切割形成至少一个待测区块，对所述导电层的切割深度大于等于所述导电层的厚度。即，结合切割工艺，在避免所形成的待测区块中的导电层不会大面积的覆盖基底的基础上，使所形成的待测区块相对于利用光刻和蚀刻工艺所形成的测试结构具有更大的尺寸，从而可利用多种不同的测量工具进行检测，提高检测灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 测试结构 基底 区块 切割 检测 功函数 绝缘层 蚀刻工艺 光刻 测量 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上依次形成一绝缘层和一导电层；对所述导电层进行切割形成至少一个待测区块，所述导电层的切割深度至少等于所述导电层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
