[发明专利]用于光掩模的薄膜以及包括该薄膜的曝光装置在审
| 申请号： | 201710377476.0 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107561853A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 宋伣在;申铉振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于光掩模的薄膜和包括用于光掩模的薄膜的曝光装置，用于光掩模的薄膜保护光掩模免受外部污染。用于光掩模的薄膜包括提供为与光掩模间隔开的薄膜膜部。薄膜膜部包括具有二维(2D)晶体结构的半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光掩模 薄膜 以及 包括 曝光 装置 | ||
【主权项】：
一种用于光掩模的薄膜，其保护所述光掩模免受外部污染，所述薄膜包括：薄膜膜部，与所述光掩模间隔开；所述薄膜膜部包括具有二维(2D)晶体结构的半导体。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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