[发明专利]一种有机氮废水处理工艺

摘要

本发明公开了一种有机氮废水处理工艺，包括以下步骤：(1)有机氮废水经纳滤膜和反渗透膜组成的膜分离装置分离浓缩，得到浓缩液和清液；(2)在步骤(1)所得的浓缩液中加入污泥厌氧发酵培养液，并添加烷基多苷，进行厌氧处理，使浓缩液中的大分子有机氮水解生成为挥发性脂肪酸和氨氮；(3)将经步骤(2)处理的浓缩液的pH值调节至11～13，再转入吹脱塔中，采用鼓风机进行曝气，将浓缩液中的氨氮吹脱出去，加酸调节pH值至7～7.5，完成有机氮废水处理。该有机氮废水处理工艺具有效率高、效果好、技术适用、经济可行等优点。

主权项

一种有机氮废水处理工艺，包括以下步骤：(1)有机氮废水经纳滤膜和反渗透膜组成的膜分离装置分离浓缩，得到浓缩液和清液；所述纳滤膜通过以下方法制得：a.制备陶瓷膜基体：制备采用平均孔径为300μm～500μm的泡沫沥青为原料，根据所需形状制备陶瓷膜预基体，浸入处于热处理炉中的熔融Si中，炉内保持惰性气氛，浸入时间为30min～60min；将陶瓷膜预基体从熔融Si中取出，炉内再升温150℃～250℃，保持惰性气氛，保温2h～4h后随炉冷却至室温，得到陶瓷膜基体；b.制备中间过渡层：含碳化硅浆料涂覆于步骤a所得的陶瓷膜基体表面，所述含碳化硅浆料由粒径为1μm～5μm的碳化硅粉末、聚碳硅烷、羟甲基纤维素醚和水混合而成；将经涂覆处理的陶瓷膜基体置于热处理炉中，在惰性气氛下进行烧结，温度为1200℃～1500℃，时间为1h～2h；得到表面有SiC中间过渡层的陶瓷膜基体；c.制备陶瓷膜层：将步骤b所得的表面有SiC中间过渡层的陶瓷膜基体置于热处理炉中，在炉内通入惰性气体，将炉内抽真空至800Pa～1000Pa后，将炉内温度升至1000℃～1100℃，持续通入气化的聚碳硅烷，时间为2h～5h，使聚碳硅烷的Si‑H键和C‑H键断裂，生成裂解产物均匀附着在SiC中间过渡层表面；保持惰性气氛，将炉内温度升至2000℃～2200℃，保温2h～5h，使裂解产物中的Si‑O键断裂，生成平均孔径为1nm～2nm的多孔纯SiC，得到纳滤膜；(2)在步骤(1)所得的浓缩液中加入污泥厌氧发酵培养液，并添加烷基多苷，进行厌氧处理，使浓缩液中的大分子有机氮水解生成为挥发性脂肪酸和氨氮；(3)将经步骤(2)处理的浓缩液的pH值调节至11～13，再转入吹脱塔中，采用鼓风机进行曝气，将浓缩液中的氨氮吹脱出去，加酸调节pH值至7～7.5，完成有机氮废水处理。