[发明专利]器件过压检测器在审
| 申请号： | 201710356498.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107450002A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | A.卡莱蒂;A.皮杜蒂;G.施里特瑟 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开器件过压检测器。描述了一种半导体器件过压检测结构，其包括电流路径，所述电流路径包括与熔断器串联连接的齐纳二极管。该齐纳二极管被配置成响应于半导体器件处的过压状况而传导电流，并且该熔断器被配置成响应于该齐纳二极管传导电流来永久地断开该过压检测结构的电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 检测器 | ||
【主权项】：
一种半导体部件，包括：器件；以及包括电流路径的过压检测结构，该电流路径包括与熔断器串联连接的齐纳二极管，其中：该齐纳二极管被配置成响应于该器件处的过压状况而传导电流；该熔断器被配置成响应于该齐纳二极管传导电流而断开该过压检测结构的电流路径。
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