[发明专利]基于内置MOS管芯片的扩展电路有效

专利信息
申请号: 201710351864.1 申请日: 2017-05-18
公开(公告)号: CN108964423B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 汪月亮;李新海;胡早胜 申请(专利权)人: 赤多尼科两合股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京市万慧达律师事务所 11111 代理人: 王虎;梁顺珍
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种基于内置MOS管芯片的扩展电路,包括内置MOS管芯片,电源,第一外置MOS管,第二外置MOS管,第一电阻以及第二电阻,内置MOS管芯片内包含内置MOS管,电源的第一端分别与第一电阻的第一端以及第二电阻的第一端连接,电源的第二端分别与内置MOS管的S极,第一外置MOS管的S极以及第二外置MOS管的S极连接,第一电阻的第二端分别与内置MOS管的D极以及第一外置MOS管的G极连接,第二电阻的第二端分别与第一外置MOS管的D极以及第二外置MOS管的G极连接。本发明提供的扩展电路,解决了现有方案存在的问题,使MOS管获得了更好的开关速度和效率。
搜索关键词: 基于 内置 mos 芯片 扩展 电路
【主权项】:
1.一种基于内置MOS管芯片的扩展电路,其特征在于,包括内置MOS管芯片,电源,第一外置MOS管,第二外置MOS管,第一电阻以及第二电阻,所述内置MOS管芯片内包含内置MOS管,所述电源的第一端分别与所述第一电阻的第一端以及所述第二电阻的第一端连接,所述电源的第二端分别与所述内置MOS管的S极,所述第一外置MOS管的S极以及所述第二外置MOS管的S极连接,所述第一电阻的第二端分别与所述内置MOS管的D极以及所述第一外置MOS管的G极连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第一外置MOS管的D极以及所述第二外置MOS管的G极连接。
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