[发明专利]基于内置MOS管芯片的扩展电路有效
申请号: | 201710351864.1 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN108964423B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 汪月亮;李新海;胡早胜 | 申请(专利权)人: | 赤多尼科两合股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 王虎;梁顺珍 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于内置MOS管芯片的扩展电路,包括内置MOS管芯片,电源,第一外置MOS管,第二外置MOS管,第一电阻以及第二电阻,内置MOS管芯片内包含内置MOS管,电源的第一端分别与第一电阻的第一端以及第二电阻的第一端连接,电源的第二端分别与内置MOS管的S极,第一外置MOS管的S极以及第二外置MOS管的S极连接,第一电阻的第二端分别与内置MOS管的D极以及第一外置MOS管的G极连接,第二电阻的第二端分别与第一外置MOS管的D极以及第二外置MOS管的G极连接。本发明提供的扩展电路,解决了现有方案存在的问题,使MOS管获得了更好的开关速度和效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 内置 mos 芯片 扩展 电路 | ||
【主权项】:
1.一种基于内置MOS管芯片的扩展电路,其特征在于,包括内置MOS管芯片,电源,第一外置MOS管,第二外置MOS管,第一电阻以及第二电阻,所述内置MOS管芯片内包含内置MOS管,所述电源的第一端分别与所述第一电阻的第一端以及所述第二电阻的第一端连接,所述电源的第二端分别与所述内置MOS管的S极,所述第一外置MOS管的S极以及所述第二外置MOS管的S极连接,所述第一电阻的第二端分别与所述内置MOS管的D极以及所述第一外置MOS管的G极连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第一外置MOS管的D极以及所述第二外置MOS管的G极连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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