[发明专利]有机薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包含基板、源极/漏极层、第一缓冲层、半导体层、栅极绝缘层与栅极。源极/漏极层位于基板上。源极/漏极层具有源极区与漏极区。第一缓冲层位于源极区与漏极区之间，且第一缓冲层覆盖至少部分的源极区与至少部分的漏极区。半导体层位于源极/漏极层与第一缓冲层上。第一缓冲层位于半导体层、源极区、漏极区与基板之间。栅极绝缘层覆盖源极/漏极层与半导体层。栅极位于栅极绝缘层上，且栅极绝缘层的一部分位于栅极与半导体层之间。第一缓冲层可用来填补源极区与漏极区之间的空间，避免半导体层形成在源极区与漏极区的楔形底切结构上，使半导体层具有均匀的厚度，能提升有机薄膜晶体管的电性稳定性。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包含：基板；源极/漏极层，位于所述基板上，所述源极/漏极层具有源极区与漏极区；第一缓冲层，位于所述源极区与所述漏极区之间，且覆盖至少部分的所述源极区与至少部分的所述漏极区；半导体层，位于所述源极/漏极层与所述第一缓冲层上，其中所述第一缓冲层位于所述半导体层、所述源极区、所述漏极区与所述基板之间；栅极绝缘层，覆盖所述源极/漏极层与所述半导体层；以及栅极，位于所述栅极绝缘层上，且所述栅极绝缘层的一部分位于所述栅极与所述半导体层之间。