[发明专利]测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 201710322961.8 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107146765A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王帆 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括第一金属线和第二金属线，所述第一金属线设置在第一晶圆的第一表面上，所述第二金属线设置在第二晶圆的第二表面上，将所述第一晶圆的第一表面与所述第二晶圆的第二表面进行键合工艺，并使所述第一金属线与所述第二金属线相交形成金属键合区域。在本发明提供测试结构和测试方法中，通过将具有第一金属线的第一晶圆与具有第二金属线的第二晶圆进行键合，使第一金属线与第二金属线相交形成金属键合区域，通过测量金属键合区域的接触电阻可精确表征键合工艺后金属间扩散及重结晶的好坏程度，测试结构由于不包含非必要的通孔电阻和金属线电阻，从而防止通孔电阻、金属线电阻及对准不良等的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一金属线，所述第一金属线设置在第一晶圆的第一表面上；第二金属线，所述第二金属线设置在第二晶圆的第二表面上；将所述第一晶圆的第一表面与所述第二晶圆的第二表面进行键合工艺，并使所述第一金属线与所述第二金属线相交形成金属键合区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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