[发明专利]照明装置的倒装结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种照明装置的倒装结构及其制作方法。照明装置的倒装结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层，透明导电层设于P型氮化物半导体层上，利用黄光蚀刻制程蚀刻透明导电层至有源层，暴露N型氮化物半导体层，得到凸形台面。P型接触金属设于透明导电层上，N型接触金属设于暴露出的N型氮化物半导体层上。沉积并蚀刻第一绝缘层以露出P/N型接触金属的一部分。倒装P型电极设于露出的P型接触金属上，倒装N型电极设于露出的N型接触金属上。再沉积并蚀刻第二绝缘层以露出倒装P/N型电极的一部分。在制作凸形台面时，利用圆形孔洞与长条形孔洞的结合，降低蚀刻精度，提高良率。

主权项

1.一种照明装置的倒装结构，其特征在于，包括：外延组件，包括层叠设置的衬底、缓冲层、N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层，所述衬底远离所述缓冲层的一侧为所述外延组件的第一侧，所述P型氮化物半导体层远离所述有源层的一侧为所述外延组件的第二侧，所述第二侧上设有经蚀刻而成的凹槽，所述凹槽由所述P型氮化物半导体层延伸至所述N型氮化物半导体层，所述凹槽的数目为多个，多个所述凹槽将所述第二侧划分为多个第一面，所述凹槽的侧壁为第二面，所述凹槽的底壁为第三面，所述第一面、所述第二面与所述第三面连接形成凸形台面，部分所述凹槽在所述第一侧上的投影为圆形或圆环，部分所述凹槽在所述第一侧上的投影为长条形；透明导电层，设于所述第一面上；P型接触金属，设于所述透明导电层上；N型接触金属，设于所述第三面上；第一绝缘层，设于所述凸形台面、所述透明导电层、所述P型接触金属及所述N型接触金属上，所述第一绝缘层上设有经蚀刻而成的第一沟槽，所述第一沟槽用于裸露所述P型接触金属的一部分及所述N型接触金属的一部分；倒装P型电极，设于所述第一绝缘层以及正对于所述第一沟槽的所述P型接触金属上；倒装N型电极，设于所述第一绝缘层以及正对于所述第一沟槽的所述N型接触金属上，且所述倒装N型电极与所述倒装P型电极间隔；以及第二绝缘层，设于所述第一绝缘层、所述倒装P型电极以及所述倒装N型电极上，所述第二绝缘层上设有经蚀刻而成的第二沟槽，所述第二沟槽用于裸露所述倒装P型电极的一部分及所述倒装N型电极的一部分，所述倒装P型电极在所述第三面上的投影与所述N型接触金属在所述第三面上的投影间隔；所述倒装N型电极在所述第三面上的投影与所述P型接触金属在所述第三面上的投影间隔。