[发明专利]PVD氧化物涂层制备方法在审
| 申请号： | 201710305307.6 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107365963A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 赵海波;梁红樱 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/08 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人： | 张竞 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PVD氧化物涂层制备方法，尤其是一种涉及氧化物涂层制备领域的氧化物涂层制备方法。本发明提供一种沉积率高，所制得的涂层绝缘效果好的氧化物涂层制备方法。本发明的氧化物涂层制备方法，在采用阴极电弧离子镀进行离子沉积的同时利用复合磁场CAE增加弧斑密度、提高弧斑移动速度、增加弧斑径向移动幅度；利用复合磁场CAE脉冲控制技术或双极脉冲偏压技术消除绝缘体正电荷积聚产生的电场；利用复合磁场CAE将镀膜材料的离子推进到带镀膜工件附近进行反应；通过复合磁场CAE控制离子的输出能量和的沉积温度来控制绝缘氧化物涂层生长，采用本申请的方法可以制得沉积率高，绝缘性能优异的氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | pvd 氧化物 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：在采用阴极电弧离子镀进行离子沉积的同时利用复合磁场CAE增加弧斑密度、提高弧斑移动速度、增加弧斑径向移动幅度，利用复合磁场CAE脉冲控制技术或双极脉冲偏压技术消除绝缘体正电荷积聚产生的电场，利用复合磁场CAE轴向推进技术将镀膜材料的离子推进到待镀膜工件附近进行反应，通过复合磁场CAE控制离子的输出能量和沉积温度来控制绝缘氧化物涂层生长。
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