[发明专利]一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710304778.5 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107146834B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 宋禹忻;朱忠赟珅;李耀耀;韩奕;张振普;张立瑶;王庶民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00;C09K11/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 纳米 发光 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；S2：在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；S3：通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。
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