[发明专利]一种钨掺杂二氧化钒热致变色薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710301456.5 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107188426A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 袁坚;杨霄;郭志敏;揭俊楠;闵圆圆;程金树 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 邬丽明,官群 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种钨掺杂二氧化钒热致变色薄膜及其制备方法，所述薄膜由以下方法制备得到采用磁控溅射的方法预先在基片表面沉积一层五氧化二钒，然后在其上沉积金属钨层，最后在钨层上沉积一层五氧化二钒，形成五氧化二钒/金属钨/五氧化二钒混合薄膜，再采用惰性气氛将金属钨氧化为高价钨，将五氧化二钒还原为二氧化钒，得到钨掺杂二氧化钒热致变色薄膜。本发明所得薄膜不仅相变温度接近室温，而且有足够的可见光透过率和红外开关效率，能够满足建筑智能窗等实际应用的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 钒热致 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钨掺杂二氧化钒热致变色薄膜，其特征在于，它由以下方法制备得到：采用磁控溅射的方法预先在基片表面沉积一层五氧化二钒，然后在其上沉积金属钨层，最后在钨层上沉积一层五氧化二钒，形成五氧化二钒/金属钨/五氧化二钒混合薄膜，再采用惰性气氛将金属钨氧化为高价钨，将五氧化二钒还原为二氧化钒，得到钨掺杂二氧化钒热致变色薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710301456.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改性二氧化硅增透膜的制备方法
- 下一篇：一种纳米微球衬底的制备方法
