[发明专利]共本体化场效晶体管有效
| 申请号： | 201710285581.1 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107359167B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 裴成文;王平川;佳·D·丰 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及共本体化场效晶体管，其揭示用于共本体化场效晶体管的结构，以及用于形成此类结构的方法。此结构包括通过半导体衬底中沟槽隔离区所界定的半导体材料本体。该本体包括多个第一区段、多个第二区段及一第三区段，该多个第二区段将该多个第一区段与该第三区段耦合。该第三区段包括当作共本体接触部用于至少该多个第一区段的接触区。该多个第一区段及该第三区段具有第一高度，而该多个第二区段具有比该第一高度更小的第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 本体 化场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种结构，包含：通过半导体衬底中沟槽隔离区所界定的半导体材料本体，该本体包括多个第一区段、多个第二区段及一第三区段，该多个第二区段将该多个第一区段与该第三区段耦合，并且该第三区段包括当作共本体接触部用于至少该多个第一区段的接触区，其中该多个第一区段及该第三区段具有第一高度，而该多个第二区段具有比该第一高度更小的第二高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
