[发明专利]具有垂直结构的SnSe2

摘要

本发明公开了一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法，该制备方法采用机械剥离法结合旋转转移法的湿化学合成技术手段，通过调整旋转转移法技术手段的具体实施条件，制得一种基于二维过渡金属硫族化合物Se的垂直结构范德瓦尔斯异质半导体材料，该方法较为简单安全，适用于制备一系列二维过渡金属硫族化物（TMDs）的垂直结构异质结；通过将制备的垂直结构SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行退火改性处理，选择最优的提升异质结器件的场效应性能的退火改性温度及时间参数，本发明提供的异质结的改性方法，为范德瓦尔斯异质结更深入的应用于新一代光电子器件领域指明了方向。

主权项

一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）采用机械剥离法从SnSe2 体材料得到少层SnSe2纳米材料，转移到SiO2/Si衬底上，制得少层SnSe2/SiO2/Si纳米材料；采用机械剥离法从MoSe2 体材料得到少层MoSe2纳米材料，转移到Si衬底上，制得少层MoSe2/Si纳米材料；（2）将步骤（1）制得的少层SnSe2/SiO2/Si纳米材料放置在匀胶台上，采用旋转涂抹PMMA溶液的方法，在转速为3000r/s的条件下匀速旋转匀胶台，直到匀胶台上面滴下的PMMA溶液完全包裹住少层SnSe2/SiO2/Si纳米材料，然后烘干制备得到样品PMMA/SnSe2/SiO2/Si；（3）将步骤（2）烘干得到的样品PMMA/SnSe2/SiO2/Si放入氢氧化钠溶液中溶解得到PMMA/SnSe2二维材料；（4）将步骤（3）制备得到的PMMA/SnSe2二维材料和步骤（1）制备得到的少层MoSe2/Si纳米材料在显微镜下缓慢移动，垂直对准将PMMA/SnSe2二维材料叠加在少层MoSe2/Si纳米材料上方制备得到具有垂直结构的二维材料PMMA/SnSe2/MoSe2 /Si；（5）将步骤（4）制备得到的具有垂直结构的二维材料PMMA/SnSe2 /MoSe2 /Si置于丙酮溶液中溶解洗涤2小时，取出自然晾干，在Si衬底上得到具有垂直结构的SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结。