[发明专利]一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法

摘要

本发明公开了一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，首先确定参数相同的掩模版的基准工艺条件，再确定第一掩模版的最佳工艺条件，之后计算第一掩模版最佳工艺条件偏离基准工艺条件的比率，若该比率大于等于设定阈值，则第一掩模版送检调查，若该比率小于设定阈值，则根据上述比率和第二掩模版基准工艺条件确定第二掩模版的最佳工艺条件，以此类推，确定剩余掩模版的最佳工艺条件。本发明提供的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，可以快速建立光刻工艺条件，减少确定最佳离焦量和曝光量的试生产时间，较快导入新品，提高生产能力。

主权项

一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，其特征在于，包括以下步骤：SO1：将参数相同的掩模版标记为第一掩模版、第二掩模版……第N掩模版，上述掩模版在光刻过程中分别对应第一光刻层、第二光刻层……第N光刻层；SO2：根据技术平台中的经验值确定上述第一掩模版、第二掩模版……第N掩模版的基准工艺条件中离焦量为F1BSL+/‑F1BSLW nm、F2BSL+/‑F2BSLW nm……FNBSL+/‑FNBSLW nm；曝光量为E1BSL+/‑E1BSLW mJ·cm‑2、E2BSL+/‑E2BSLW mJ·cm‑2……ENBSL+/‑ENBSLW mJ·cm‑2；SO3：对第一掩模版对应的第一光刻层做焦距‑能量矩阵，确定最佳工艺条件中离焦量为F1EXP nm、曝光量E1EXP mJ·cm‑2；SO4：计算第一掩模版的最佳工艺条件偏离基准工艺条件的比率M，所述比率M分为离焦量比率M1和曝光量比率M2，并判断该比率是否超过设定的阈值，若M1或M2等于或大于设定的阈值，将第一掩模版送检调查，经过修正之后重复SO3步骤，若M1和M2同时小于设定的阈值，开始SO5步骤；SO5：根据上述比率和第二掩模版的基准工艺条件确定第二掩模版的最佳工艺条件，F2EXP＝F2BSL+F2BSLW·M1nm,E2EXP＝E2BSL+E2BSLW·M2mJ·cm‑2；SO6：以此类推，根据上述比率M和第N掩模版的基准工艺条件确定第N掩模版的最佳工艺条件，FNEXP＝FNBSL+FNBSLW·M1nm,ENEXP＝ENBSL+ENBSLW·M2mJ·cm‑2。