[发明专利]一种温控半导体BOPET聚酯基膜及其生产工艺

摘要

本发明公开了一种温控半导体BOPET聚酯基膜及其生产工艺，其技术要点是：包括ABCDE五层结构，C层为中间芯层，材料为大有光聚酯熔体；A/E层为上、下表层，材料包括SiO2抗粘结母粒及有光聚酯熔体，B/D层为半导体特性层，材料包括温控半导体特性母粒、有光聚酯熔体；A层与E层材料具有如下质量百分比的组分：1％～2％的SiO2抗粘结母粒及98％～99％有光聚酯熔体；B/D层材料具有如下质量百分比的组分：20％～30％的半导体特性母粒及70％～80％有光聚酯熔体；C层材料为100%有光聚酯熔体。本发明通过温控半导体母粒及抗粘结母粒与聚酯有光PET共混共挤成膜，将半导体特性层置于膜层夹层防止半导体特性层的脱落，提高特性薄膜的稳定性。

主权项

1.一种温控半导体BOPET聚酯基膜，其在120℃以下可导,120℃以上绝缘，包括ABCDE五层结构，其特征在于：C层为中间芯层，材料为大有光聚酯熔体；A/E层为上、下表层，材料包括SiO₂抗粘结母粒及有光聚酯熔体，B/D层为半导体特性层，材料包括温控半导体特性母粒、有光聚酯熔体；A层与E层材料具有如下质量百分比的组分：1％～2％的SiO₂抗粘结母粒及98％～99％有光聚酯熔体；B/D层材料具有如下质量百分比的组分：20％～30％的温控半导体特性母粒及70％～80％有光聚酯熔体；C层材料为100％大有光聚酯熔体；A/E层厚度占10％～15％，B/D层厚度占15％～20％，C层厚度占40％；SiO₂抗粘结母粒及温控半导体特性母粒是由微米级二氧化硅、纳米级温控半导体介质钛酸锶钡分别与有光聚酯熔体采用共混方法制备所得。