[发明专利]一种半导体芯片的翻膜方法在审

专利信息
申请号: 201710255981.8 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN108735665A 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 刘明;刘佳 申请(专利权)人: 扬州晶新微电子有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/683
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 谈杰
地址: 225009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种半导体芯片的翻膜方法,涉及半导体器件技术领域,包括如下步骤:对待处理芯片进行吹扫,去除待处理芯片表面的杂质,待处理芯片的背面贴有旧膜;在待处理芯片的正面贴上正面保护膜;以与待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除待处理芯片背面的旧膜;在待处理芯片的背面贴上新膜;揭除待处理芯片的正面保护膜,完成待处理芯片的翻膜。本发明提供的半导体芯片的翻膜方法,通过将半导体芯片背面的旧膜更换成另一张或另一种新膜,能够为芯片分离时提供粘度合适的膜,保证分离质量。本发明的半导体芯片的翻膜方法还可以在旧膜破损时通过翻膜以避免芯片失效,降低生产成本。
搜索关键词: 处理芯片 半导体芯片 旧膜 背面 保护膜 揭除 贴上 新膜 半导体器件技术 芯片分离 芯片失效 吹扫 去除 破损 保证
【主权项】:
1.一种半导体芯片的翻膜方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、对待处理芯片进行吹扫,去除所述待处理芯片表面的杂质,所述待处理芯片的背面贴有旧膜;步骤S2、在所述待处理芯片的正面贴上正面保护膜;步骤S3、以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧膜;步骤S4、在所述待处理芯片的背面贴上新膜;步骤S5、揭除所述待处理芯片的正面保护膜,完成所述待处理芯片的翻膜。
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