[发明专利]一种半导体芯片的翻膜方法在审
| 申请号: | 201710255981.8 | 申请日: | 2017-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN108735665A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
| 发明(设计)人: | 刘明;刘佳 | 申请(专利权)人: | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 谈杰 |
| 地址: | 225009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种半导体芯片的翻膜方法,涉及半导体器件技术领域,包括如下步骤:对待处理芯片进行吹扫,去除待处理芯片表面的杂质,待处理芯片的背面贴有旧膜;在待处理芯片的正面贴上正面保护膜;以与待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除待处理芯片背面的旧膜;在待处理芯片的背面贴上新膜;揭除待处理芯片的正面保护膜,完成待处理芯片的翻膜。本发明提供的半导体芯片的翻膜方法,通过将半导体芯片背面的旧膜更换成另一张或另一种新膜,能够为芯片分离时提供粘度合适的膜,保证分离质量。本发明的半导体芯片的翻膜方法还可以在旧膜破损时通过翻膜以避免芯片失效,降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词: | 处理芯片 半导体芯片 旧膜 背面 保护膜 揭除 贴上 新膜 半导体器件技术 芯片分离 芯片失效 吹扫 去除 破损 保证 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片的翻膜方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、对待处理芯片进行吹扫,去除所述待处理芯片表面的杂质,所述待处理芯片的背面贴有旧膜;步骤S2、在所述待处理芯片的正面贴上正面保护膜;步骤S3、以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧膜;步骤S4、在所述待处理芯片的背面贴上新膜;步骤S5、揭除所述待处理芯片的正面保护膜,完成所述待处理芯片的翻膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州晶新微电子有限公司,未经扬州晶新微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710255981.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非晶硅TFT基板的制作方法
- 下一篇:被加工物的加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





