[发明专利]QLED器件功能层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710244597.8 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN108735900B 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种QLED器件功能层的制备方法,包括以下步骤:提供预先图案化处理后的像素槽;提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备,分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽,先通过一个喷头在像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴,然后通过另一个喷头在功能层墨滴表面喷溶剂蒸汽,经干燥成膜制备功能层,其中,功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层,功能层墨水包括功能层材料和墨水溶剂,溶剂蒸汽的流量满足:局部偏压大于对应温度下的蒸气压;溶剂蒸汽使用的溶剂满足:溶剂的液相表面张力小于墨水溶剂的液相表面张力,溶剂蒸汽与墨水溶剂互溶,且能够溶解功能层材料。
搜索关键词: qled 器件 功能 制备 方法
【主权项】:
1.一种QLED器件功能层的制备方法,包括以下步骤:提供预先图案化处理后的像素槽;提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备,分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽,先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴,然后通过另一个喷头在所述功能层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽,经干燥成膜制备功能层,其中,所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层,所述功能层墨水包括功能层材料和用于溶解所述功能层材料的墨水溶剂,所述溶剂蒸汽的流量满足:局部偏压大于对应温度下的蒸气压;所述溶剂蒸汽使用的溶剂满足:所述溶剂的液相表面张力小于所述墨水溶剂的液相表面张力,所述溶剂蒸汽与所述墨水溶剂互溶,且能够溶解所述功能层材料。
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