[发明专利]具有护环的绝缘体上半导体（SOI）块有效
| 申请号： | 201710243165.5 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107316871B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 阮纪明;大卫·拉塞尔·蒂普尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括第一导电类型的块状衬底、所述块状衬底中的第一绝缘体上半导体(SOI)块、所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一阱、所述第一SOI块中的第二导电类型的第二阱、围绕所述第一SOI块的周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一护环，以及围绕所述第一SOI块的所述周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第二导电类型的第二护环。所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 上半 导体 soi | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电类型的块状衬底；所述块状衬底中的第一绝缘体上半导体(SOI)块；所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一阱；所述第一SOI块中的第二导电类型的第二阱；围绕所述第一SOI块的周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一护环；围绕所述第一SOI块的所述周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第二导电类型的第二护环，其中所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
