[发明专利]一种用于金属CMP的集成工艺的方法有效
| 申请号： | 201710234771.0 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107301948B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 纪志坚;李佩璇;苏鸿文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成介电层。衬底具有边缘区域和中心区域。方法还包括：在边缘区域中形成介电环、在衬底的中心区域上方和衬底的边缘区域中的介电环上方形成金属层、以及抛光中心区域和边缘区域中的金属层以暴露衬底的边缘区域中的介电环。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法，具体地涉及用于金属CMP的集成工艺的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 金属 cmp 集成 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成介电层，所述衬底具有边缘区域和中心区域；在所述边缘区域中形成介电环；在所述衬底的所述中心区域上方和所述衬底的所述边缘区域中的所述介电环上方形成金属层；以及抛光位于所述中心区域和所述边缘区域中的所述金属层以暴露位于所述衬底的所述边缘区域中的所述介电环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
