[发明专利]包括非圆形形状的沟道图案的非易失性半导体器件有效
| 申请号： | 201710228177.0 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107331667B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 孙龙勋;崔汉枚;黄棋铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储结构包括：水平地延伸的基板；从基板竖直地延伸的填充绝缘图案；多个有源沟道图案，绕填充绝缘图案的周边以Z字形图案从基板竖直地延伸，每个有源沟道图案具有相应的非圆形形状的水平截面；以及多条栅线的竖直堆叠，每个竖直堆叠绕填充绝缘图案和多个有源沟道图案水平地延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 圆形 形状 沟道 图案 非易失性 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储结构，包括：水平地延伸的基板；从所述基板竖直地延伸的填充绝缘图案；多个有源沟道图案，绕所述填充绝缘图案的周边以Z字形图案从所述基板竖直地延伸，所述有源沟道图案的每个具有相应的非圆形形状的水平截面；以及多条栅线的竖直堆叠，每个竖直堆叠绕所述填充绝缘图案和所述多个有源沟道图案水平地延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
