[发明专利]一种光衍射器件及其制备方法和三维显示装置有效

专利信息
申请号: 201710222207.7 申请日: 2017-04-06
公开(公告)号: CN106842606B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 邵仁锦;浦东林;朱鹏飞;张瑾;朱鸣;陈林森 申请(专利权)人: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学
主分类号: G02B27/42 分类号: G02B27/42;G02B27/46;G02B27/22;G03F7/20
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 唐静芳
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于随机激光散斑的纳米级结构光衍射器件。该结构光衍射器件的衍射结构单元只有几百纳米,甚至几十纳米,具有分辨率高,对比度高和视场角大等优势。在此基础上,本发明还提出了一种纳米级衍射器件的制作方法,即位相光场干涉光刻法。利用该方法可以制备出高品质的深度感知结构光衍射器件。相比于传统的光学元件加工技术,本发明提出的位相光场干涉光刻法具有分辨率高和位相匹配精度高等优势,与紫外投影曝光和电子束直写等光刻技术相比,本发明提出的光刻技术具有速度快、成本低等优势。
搜索关键词: 一种 衍射 器件 及其 制备 方法 三维 显示装置
【主权项】:
1.一种光衍射器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:s1,利用傅里叶变换算法计算出随机散斑的二阶频谱位图;s2,将二阶频谱位图形貌特征加工到透明基底表面,形成位相深度为浮雕结构的位相型衍射光学元件;其中,步骤“s2”具体为:s21,首先制备微米级位相型衍射光学元件,即将所述随机散斑的二阶频谱位图的黑白分布加工到透明基底表面,形成二阶的表面浮雕型的微米级位相型衍射光学元件;s22,在透明基底表面涂覆光刻胶层,将微米级位相型衍射光学元件放置于位相光场干涉光刻直写装置中进行直写光刻,将此微米级位相型衍射光学元件图形结构按比例转刻到透明基底表面的光刻胶层,蚀刻后形成纳米级光衍射元件。
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