[发明专利]高c轴取向的ErAlN薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710205730.9 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106756855A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨成韬;胡现伟;牛东伟;唐佳琳;泰智薇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高c轴取向ErAlN薄膜及其制备方法，属于压电薄膜领域。本发明采用高纯度铒铝合金作为靶材，在反应腔室内充入氮气，使得氮气在电离后与靶材发生化学反应，从而在衬底表面沉积得到ErAlN薄膜；本发明制得的ErAlN薄膜的压电常数远大于现有技术中AlN薄膜的压电常数，并且薄膜机电耦合系数较高。本发明制得的ErAlN薄膜呈现高c轴取向，可以提高声电转换效率，并且薄膜粗糙度较小，可以减少声表面波的散射，降低声表面波的传播损耗，故而，本发明通过Er元素的掺杂能够有效提升压电薄膜的压电性能和机电耦合系数，达到了提升器件的工作效率并减少生产制备难度、降低成本的目的，有利于应用于声表面波器件中以实现提高声表面波的传播速度。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 eraln 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高c轴取向的ErAlN薄膜，其特征在于，包括衬底以及沉积于衬底表面的ErAlN薄膜，其中铒元素的含量为4％～10％，铝元素的含量为90％～96％。
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