[发明专利]三维半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710187317.4 申请日: 2017-03-27
公开(公告)号: CN107240588B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 车永山;尹童奎;金泰成 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H10B43/20 分类号: H10B43/20
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置包括包含单元阵列区和外围电路区的基底。半导体装置还包括设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串的单元阵列。位线在第一方向上延伸。半导体装置附加地包括设置在外围电路区中并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一单元的第一单元行。第一方向和第二方向平行于基底的上表面。半导体装置还包括多条第一互连线和多条第一电源线,所述多条第一互连线均具有在第一方向上的纵向轴并连接到多个第一单元,所述多条第一电源线在第二方向上延伸并通过第一互连线连接到多个第一单元。
搜索关键词: 三维 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,包括单元阵列区和外围电路区;单元阵列,设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串,其中,位线在第一方向上延伸;标准单元行,设置在外围电路区中,并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个标准单元,第一方向和第二方向平行于基底的上表面;多条第一互连线,均具有在第一方向上的纵向轴,并连接到所述多个标准单元:以及多条下电源线,在第二方向上延伸,并通过第一互连线连接到所述多个标准单元。
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