[发明专利]双垂直窗三埋层SOI高压器件结构

摘要

本发明公开了一种多埋层大功率高压器件结构，器件结构如图1所示，该结构的埋层包含三层氧化层，两个窗不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，第一层与第三层通过二氧化硅相连。第一层第二层埋氧层与第三层埋氧层之间填充多晶硅。该方法通过增强第三层埋氧层的电场，同时第一第二埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场来提高纵向击穿电压。

主权项

1.一种双窗双埋层SOI高压器件结构，包括三层埋氧层以及埋氧层之间的多晶硅层，其特征在于所开的两个窗（第一埋层两端分别与第二埋层两端的连线）不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，一二层与第三层埋层之间的填充多晶硅。