[发明专利]一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构及制作方法，从上而下依次包括：透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、金属层和背面正极，P型晶体硅片上设通孔，通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极，N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，透明导电膜依次穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极接触，将正面汇集的电子导至电池背面，金属层穿透背面钝化膜与P型硅基体形成局部欧姆接触，并与背面正极连接构成电池正极。避免了正面金属电极光遮挡，减少了电池制作过程中银浆的耗量，通过背面的钝化膜防止电极卷绕后漏电，显著提升P型晶体硅电池的转换效率。

主权项

一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜(1)、减反射膜(2)、正面钝化膜(3)、N型层(4)、P型基体(6)、背面钝化膜(7)、金属层(8)和背面正极(9)，其中，所述P型晶体硅片上等行距等列距阵列排布有若干通孔，每个所述通孔的大小相同，在厚度方向贯通所述P型晶体硅片，单个所述通孔的直径为100～500um，所述通孔的排布数量为4×4～10×10个，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极(10)，所述N型层(4)的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区(5)，所述局部重掺杂N+区(5)阵列排布在所述N型层(4)上，每个所述局部重掺杂N+区(5)的方阻为20～60Ω/□，所述背面钝化膜(7)包括第一背面钝化膜(7‑1)和第二背面钝化膜(7‑2)，所述透明导电膜(1)依次穿透所述减反射膜(2)和正面钝化膜(3)与所述局部重掺杂N+区(5)及所述过孔电极(10)顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜(1)用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极(10)导至电池的背面，所述金属层(8)穿透所述第一背面钝化膜(7‑1)和第二背面钝化膜(7‑2)与所述P型基体(6)形成局部欧姆接触，并与背面正极(9)连接在一起构成电池正极。