[发明专利]基于离子浓差极化技术的富集器件及其制备方法在审
申请号: | 201710181391.5 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106694069A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 佟建华;皮海龙;边超;李洋;孙楫舟;夏善红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00;G01N21/64;G01N1/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于离子浓差极化技术的富集器件,包括衬底,包括富集通道,包括入口、流入段、出口、及流出段;缓冲通道,包括入口、流入段、出口、及流出段;以及离子交换膜固定槽,设于富集通道和缓冲通道之间;微流道密封层,设于衬底上方,用于密封各通道;在微流道密封层上设有离子交换膜透过槽;离子交换膜,设于离子交换膜透过槽和离子交换膜固定槽中;以及,多个电极,分别设于富集通道入口、出口,缓冲通道入口、出口。本发明还提供了一种基于离子浓差极化技术的富集器件的制备方法。本发明富集器件及其制备方法,实现了对不同带电样品的富集,结构简单,样品消耗少,易于实现自动化,过程简单快速,不需要超净间环境。 | ||
搜索关键词: | 基于 离子 极化 技术 富集 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于离子浓差极化技术的富集器件,其特征在于,包括:衬底,包括:富集通道,包括富集通道入口、富集通道流入段、富集通道出口、及富集通道流出段;缓冲通道,包括缓冲通道入口、缓冲通道流入段、缓冲通道出口、及缓冲通道流出段;以及离子交换膜固定槽,设于所述富集通道和缓冲通道之间;微流道密封层,设于所述衬底上方,用于密封各所述通道;在该微流道密封层上设有离子交换膜透过槽;离子交换膜,设于所述离子交换膜透过槽和所述离子交换膜固定槽中;以及,多个电极,分别设于所述富集通道入口、富集通道出口、缓冲通道入口及缓冲通道出口。
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