[发明专利]电介质膜和电子部件有效
| 申请号： | 201710169473.8 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107221430B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 内山弘基;政冈雷太郎;藤井祥平;城川真生子 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/495;H01B3/12 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨琦;沈央<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 电子 部件 | ||
【主权项】：
1.一种电介质膜，其特征在于，/n所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，/n所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，/n对于电介质膜，进行利用X射线衍射的平行法的测定，作为X射线源使用Cu-Kα射线，测定条件设定为电压45kV、200mA、2θ＝20°～80°的范围，比较得到的衍射图案中(111)的峰与(200)的峰的强度比，对于该比，(111)的峰强度/(200)的峰强度显示1.5以上的情况定义为(111)取向，在所述电介质膜的Cu-KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。/n
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