[发明专利]非易失性存储器装置及其编程验证操作的方法有效
| 申请号： | 201710169293.X | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107230499B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 任琫淳;尹硕珉;沈相元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;王兆赓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种非易失性存储器装置及其编程验证操作的方法。所述非易失性存储器装置可包括：单元阵列、第一页缓冲器以及第二页缓冲器。第一页缓冲器可连接到单元阵列的第一存储器单元，并且可存储在编程验证操作期间通过感测第一存储器单元的编程操作是否完成而生成的第一感测数据。第二页缓冲器可连接到单元阵列的第二存储器单元。在编程验证操作期间，第二页缓冲器可基于通过感测第二存储器单元的编程操作是否完成而生成的第二感测数据来生成并存储第一验证数据，可从第一页缓冲器接收第一感测数据，并且可存储通过累积第一感测数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 编程 验证 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，包括：单元阵列，包括多个存储器单元；第一页缓冲器，连接到单元阵列的第一存储器单元并且被配置为存储在编程验证操作期间通过感测第一存储器单元的编程操作是否完成而生成的第一感测数据；第二页缓冲器，连接到单元阵列的第二存储器单元并且被配置为基于通过感测第二存储器单元的编程操作是否完成而生成的第二感测数据来生成第一验证数据并存储第一验证数据，从第一页缓冲器接收第一感测数据，存储在编程验证操作期间通过累积第一感测数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。
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