[发明专利]具有软反向恢复特性的SJ‑MOS结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710168338.1 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898555A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张园园;周宏伟;任文珍;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有软反向恢复特性的SJ‑MOS结构及其制造方法，在N++衬底上先生长一层外延N+，再生长一层电阻率稍高的外延N‑；通过Trench光刻板在外延N‑刻蚀出深沟槽；在N‑外延表面，生长P型外延填充沟槽，并进行CMP工艺，将沟槽外的P型外延去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过Body光刻板注入体区并退火形成body区，淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P并推阱形成N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明通过调整外延的掺杂浓度分布，达到调整少子存储电荷分布，软化反向恢复过程的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反向 恢复 特性 sj mos 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
具有软反向恢复特性的SJ‑MOS结构制造方法，其特征在于：通过调整外延的掺杂浓度分布，调整少子存储电荷分布，软化反向恢复过程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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