[发明专利]FINFET为基础的闪存胞

摘要

本发明涉及FINFET为基础的闪存胞，提供一种制造半导体装置的方法，其包括提供半导体基材，在半导体基材的逻辑区中形成第一多个半导体鳍片，在半导体基材的存储区中形成第二多个半导体鳍片，在第一多个半导体鳍片的诸鳍片之间、及第二多个半导体鳍片的诸鳍片之间形成绝缘层，在第一与第二多个半导体鳍片及绝缘层上方形成电极层，自栅极电极层起在逻辑区中的第一多个半导体鳍片的半导体鳍片上方形成栅极，以及自栅极电极层起在逻辑区中第二多个半导体鳍片的诸半导体鳍片之间形成感测栅极与控制栅极。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其包含：提供半导体基材；在该半导体基材的逻辑区中形成第一多个半导体鳍片；在该半导体基材的记忆区中形成第二多个半导体鳍片；在该第一多个半导体鳍片的所述鳍片之间、及该第二多个半导体鳍片的所述鳍片之间形成绝缘层；在所述第一与第二多个半导体鳍片及该绝缘层上方形成电极层；自该电极层起于该第一多个半导体鳍片位在该逻辑区中的半导体鳍片上方形成栅极；以及自该电极层起于该第二多个半导体鳍片位在该记忆区中的半导体鳍片之间形成感测栅极及控制栅极。