[发明专利]一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置及工艺方法

摘要

一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置及工艺方法涉及纳米材料制备装置及其方法，特别是一种氧化法连续制备纳米SiO2微粉的装置及工艺方法。本发明提出一种氧化法连续制备纯净的纳米级SiO2微粉的装置及工艺方法。本发明的氧化法连续制备纳米SiO2微粉的工艺方法，其特征在于包括以下步骤a 熔融工业硅；b.排放废气；c.熔融硅精炼及氧化；d.分级收集；e.产品收集；f. 原料添加。

主权项

氧化法连续制备纳米SiO2微粉的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：a 熔融工业硅将工业硅装炉；利用启动炉配合坩埚对硅原料进行加热至熔融，同时配合顶部吹O2熔炼硅原料；b.排放废气在熔炼硅原料时，开放废气放散系统，将废气导出；c.熔融硅精炼及氧化将熔融硅温度控制在1450～1550℃范围内，在反应炉内对熔融硅进行精炼，精炼过程包括：吹氧、倒渣操作；精炼后，通过炉底透气砖或顶底复吹方式供氧，利用化学热使Si+O2→SiO2反应发生；d.分级收集当观察到SiO2纯净烟尘的蒸发和逸出后，关闭放散系统，开启分级收集系统的抽风机，利用分级收集系统对SiO2烟尘进行依次收集，此时可收集到纳米级SiO2微粉；e. 产品收集将收集到的纳米级SiO2微粉进行装袋收集，并传送而出；f. 原料添加调节反应炉供电功率在15kW～50kW范围内，以维持炉内反应物温度，此时直接向反应炉间断性添送硅原料，实现了生产的连续性。