[发明专利]稠合杂芳族化合物及其中间体的合成方法、稠合杂芳族化合物及其中间体、和电子器件有效
| 申请号： | 201710156533.2 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107266469B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 宫碕荣吾;朴正一;姜铉范;李恩庆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C07D495/22 | 分类号： | C07D495/22;C07D495/04;C07D517/22;C07D517/04;H01L51/05;H01L51/50;H01L51/30;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
公开稠合杂芳族化合物及其中间体的合成方法、稠合杂芳族化合物及其中间体、和电子器件。合成稠合杂芳族化合物的方法包括：由通过化学式1表示的第一化合物和通过化学式2表示的第二化合物获得第一中间体，由所述第一中间体获得包括具有硫属元素的环的第二中间体，和通过所述第二中间体的环化反应获得稠合杂芳族化合物。在化学式1和2中，Ar |
||
| 搜索关键词： | 稠合杂芳族 化合物 及其 中间体 合成 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
合成稠合杂芳族化合物的方法，所述方法包括：由通过化学式1表示的第一化合物和通过化学式2表示的第二化合物获得第一中间体；由所述第一中间体获得包括具有硫属元素的环的第二中间体；和通过所述第二中间体的环化反应获得稠合杂芳族化合物：其中，在化学式1和2中，Ar1和Ar2各自独立地为如下之一：取代或未取代的芳族环、取代或未取代的杂芳族环、和来自其的两个或更多个环的稠环，X1为硫属元素，R1和R2各自独立地为如下之一：氢、取代或未取代的C1‑C20烷基、C1‑C20氟烷基、取代或未取代的C6‑C20芳基、卤素、以及其组合，L1为乙烯基和乙炔基之一，和Y1为卤素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710156533.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
