[发明专利]一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710152632.3 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106784207A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;徐春阳;邢志刚;张伟 | 申请（专利权）人： | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，涉及半导体发光器件技术领域，其中，所述GaN基发光二极管外延结构包括：衬底；第一类型外延层，位于所述衬底上；电子隧道层，位于所述第一类型外延层上远离所述衬底的一侧，用于控制所述第一类型外延层提供的电子形成隧道效应；量子阱结构层，位于所述电子隧道层上远离所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上远离所述电子隧道层的一侧。采用上述技术方案，在第一类型外延层和量子阱结构层设置电子隧道层，保证第一类型外延层提供的电子发生隧道效应后进入量子阱结构层，增加电子和空穴在量子阱结构层内复合的发生几率，提高发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：衬底；第一类型外延层，位于所述衬底上；电子隧道层，位于所述第一类型外延层上远离所述衬底的一侧，用于控制所述第一类型外延层提供的电子形成隧道效应；量子阱结构层，位于所述电子隧道层上远离所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上远离所述电子隧道层的一侧；所述电子隧道层包括电子震荡层和应力控制层，所述电子震荡层用于控制所述电子形成震荡的亚稳态结构，所述应力控制层用于对所述量子阱结构层进行应力控制；所述电子震荡层生长在所述第一类型外延层上远离所述衬底的一侧；所述应力控制层生长在所述电子震荡层上远离所述第一类型外延层的一侧。
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