[发明专利]一种PIN结构紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了半导体光电探测技术领域的一种PIN结构紫外光电探测器及其制备方法，包括基底，所述基底顶部设有光吸收层所述接触层的顶部左右两端分别设有N电极和P电极，一种PIN结构紫外光电探测器制备方法，该PIN结构紫外光电探测器制备方法具体包括以下步骤：S1：以Al2O3作为衬底；S2：形成n‑GaN基底；S4：在i‑AlInGaN光吸收层上再生长0.1‑0.3μm的掺杂Mg的p‑AlInGaN过渡层；S5：以p‑GaN作为欧姆接触层，本发明对结构进行优化设计，减少表面光反射率，优化有源层厚度，提高器件的量子效率，从而提高光响应度，其中晶格常数和禁带宽度可独立变化，能够提高与金属接触层的半导体浓度，有利于形成良好的欧姆接触。

主权项

1.一种PIN结构紫外光电探测器，包括基底(1)，其特征在于：所述基底(1)顶部设有光吸收层(2)，所述光吸收层(2)的顶部设有过渡层(3)，所述过渡层(3)的顶部设有接触层(4)，所述接触层(4)的顶部左右两端分别设有N电极(5)和P电极(6)，所述基底(1)、光吸收层(2)、过渡层(3)和接触层(4)的外壁均涂覆有SiO2保护膜层(7)。