[发明专利]包括升高焊盘上的贯穿模球的半导体封装及其制造方法在审
申请号: | 201710146188.4 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107452686A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 成基俊;金钟薰;裵汉俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 包括升高焊盘上的贯穿模球的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括第一凸块焊盘,所述第一凸块焊盘在互连结构层的第一表面上;升高焊盘,在所述互连结构层的所述第一表面上的所述升高焊盘比所述第一凸块焊盘更厚;第一半导体器件,所述第一半导体器件连接在所述第一凸块焊盘上;贯穿模球连接体,所述贯穿模球连接体分别连接在所述升高焊盘上;模制层,所述模制层被布置为覆盖所述互连结构层的所述第一表面以暴露每个贯穿模球连接体的一部分;外部连接体,所述外部连接体分别附接至所述贯穿模球连接体;以及第二半导体器件,所述第二半导体器件在所述互连结构层的与所述模制层相反的第二表面上。 | ||
搜索关键词: | 包括 升高 焊盘上 贯穿 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体封装的方法,该方法包括以下步骤:在虚拟晶圆上形成包括导电迹线图案和介电层的互连结构层;将载体晶圆附接至所述互连结构层的与所述虚拟晶圆相反的第二表面;使所述虚拟晶圆凹进以暴露所述互连结构层的与所述载体晶圆相反的第一表面;在所述互连结构层的所述第一表面上形成第一凸块焊盘和升高焊盘,所述升高焊盘比所述第一凸块焊盘更厚;将至少一个第一半导体器件连接至所述第一凸块焊盘;将贯穿模球连接体连接至所述升高焊盘;在所述互连结构层的所述第一表面上形成模制层,以暴露每个所述贯穿模球连接体的一部分;将外部连接体分别附接至所述贯穿模球连接体的暴露的部分;以及在所述互连结构层的所述第二表面上安装第二半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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