[发明专利]包括升高焊盘上的贯穿模球的半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710146188.4 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN107452686A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 成基俊;金钟薰;裵汉俊 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 包括升高焊盘上的贯穿模球的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括第一凸块焊盘,所述第一凸块焊盘在互连结构层的第一表面上;升高焊盘,在所述互连结构层的所述第一表面上的所述升高焊盘比所述第一凸块焊盘更厚;第一半导体器件,所述第一半导体器件连接在所述第一凸块焊盘上;贯穿模球连接体,所述贯穿模球连接体分别连接在所述升高焊盘上;模制层,所述模制层被布置为覆盖所述互连结构层的所述第一表面以暴露每个贯穿模球连接体的一部分;外部连接体,所述外部连接体分别附接至所述贯穿模球连接体;以及第二半导体器件,所述第二半导体器件在所述互连结构层的与所述模制层相反的第二表面上。
搜索关键词: 包括 升高 焊盘上 贯穿 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体封装的方法,该方法包括以下步骤:在虚拟晶圆上形成包括导电迹线图案和介电层的互连结构层;将载体晶圆附接至所述互连结构层的与所述虚拟晶圆相反的第二表面;使所述虚拟晶圆凹进以暴露所述互连结构层的与所述载体晶圆相反的第一表面;在所述互连结构层的所述第一表面上形成第一凸块焊盘和升高焊盘,所述升高焊盘比所述第一凸块焊盘更厚;将至少一个第一半导体器件连接至所述第一凸块焊盘;将贯穿模球连接体连接至所述升高焊盘;在所述互连结构层的所述第一表面上形成模制层,以暴露每个所述贯穿模球连接体的一部分;将外部连接体分别附接至所述贯穿模球连接体的暴露的部分;以及在所述互连结构层的所述第二表面上安装第二半导体器件。
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