[发明专利]一种NAND-FLASH存储器读操作方法及装置有效
| 申请号： | 201710134699.4 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108572785B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 苏志强 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NAND‑FLASH存储器读操作方法及装置，涉及数据存储器操作技术领域。本发明提供的一种NAND‑FLASH存储器读操作方法及装置，利用读时钟周期分频信号来触发读使能信号有效，使得读使能信号的有效期被限制在多个时钟周期内，然后在该读使能信号的有效期，将页缓存器中的数据缓存至设定数量的寄存器中，能够在保证读操作正常进行的同时，有效的增加数据缓存的时间，提高了NAND‑FLASH存储器读操作的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 存储器 操作方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种NAND‑FLASH存储器读操作方法，其特征在于，包括：利用读时钟周期分频信号触发读使能信号，使所述读使能信号有效；在所述读使能信号有效期内，将页缓存器中的数据缓存至设定数量的寄存器中；将所述设定数量的寄存器中的数据通过存储器的IO接口输出。
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